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ISL89163FBEBZ

ISL89163FBEBZ

僅供參考

型號 ISL89163FBEBZ
PNEDA編號 ISL89163FBEBZ
描述 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 6,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL89163FBEBZ資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL89163FBEBZ
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
ISL89163FBEBZ, ISL89163FBEBZ數據表 (總頁數: 16, 大小: 834.2 KB)
PDFISL89165FRTCZ-T數據表 封面
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ISL89163FBEBZ規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 16V
邏輯電壓-VIL,VIH1.85V, 3.15V
電流-峰值輸出(源極,接收器)6A, 6A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)20ns, 20ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝8-SOIC-EP

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

15ns, 18ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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輸入類型

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上升/下降時間(典型值)

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門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

125ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

4.5A, 4.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

25ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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