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ISL89165FBEBZ

ISL89165FBEBZ

僅供參考

型號 ISL89165FBEBZ
PNEDA編號 ISL89165FBEBZ
描述 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 20,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL89165FBEBZ資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL89165FBEBZ
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
ISL89165FBEBZ, ISL89165FBEBZ數據表 (總頁數: 16, 大小: 834.2 KB)
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ISL89165FBEBZ規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 16V
邏輯電壓-VIL,VIH1.85V, 3.15V
電流-峰值輸出(源極,接收器)6A, 6A
輸入類型Inverting, Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)20ns, 20ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝8-SOIC-EP

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.6V, 2.65V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

35V

上升/下降時間(典型值)

30ns, 8ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WFDFN Exposed Pad

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驅動配置

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

CMOS

高壓側-最大(自舉)

85V

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

7V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

500mA, 1A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

30ns, 25ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電壓-供電

4V ~ 6V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

33ns, 27ns

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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頻道類型

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驅動程序數量

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電壓-供電

4V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.1V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

9A, 9A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

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