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ISL9K30120G3

ISL9K30120G3

僅供參考

型號 ISL9K30120G3
PNEDA編號 ISL9K30120G3
描述 DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL9K30120G3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL9K30120G3
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
ISL9K30120G3, ISL9K30120G3數據表 (總頁數: 6, 大小: 145.68 KB)
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ISL9K30120G3規格

制造商ON Semiconductor
系列Stealth™
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3.3V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)100ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.2mA @ 45V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

7.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 80V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

250mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 70V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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