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ISL9V3040D3ST

ISL9V3040D3ST

僅供參考

型號 ISL9V3040D3ST
PNEDA編號 ISL9V3040D3ST
描述 IGBT 430V 21A 150W TO252AA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 92,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL9V3040D3ST資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL9V3040D3ST
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
ISL9V3040D3ST, ISL9V3040D3ST數據表 (總頁數: 10, 大小: 476.91 KB)
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ISL9V3040D3ST規格

制造商ON Semiconductor
系列EcoSPARK®
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)430V
當前-集電極(Ic)(最大值)21A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.6V @ 4V, 6A
功率-最大150W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用17nC
25°C時的Td(開/關)-/4.8µs
測試條件300V, 1kOhm, 5V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252AA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 25A

功率-最大

349W

開關能量

1mJ (on), 700µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

136nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/109ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

268W

開關能量

1.01mJ (on), 297µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

72.2nC

25°C時的Td(開/關)

19.2ns/65.6ns

測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-集電極脈沖(Icm)

144A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.14V @ 15V, 48A

功率-最大

330W

開關能量

625µJ (on), 1.28mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/145ns

測試條件

400V, 48A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

115ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 40A

功率-最大

468W

開關能量

1.43mJ (on), 3.83mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

129nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/148ns

測試條件

600V, 40A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

355ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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