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ITC1100

ITC1100

僅供參考

型號 ITC1100
PNEDA編號 ITC1100
描述 RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ITC1100資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ITC1100
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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ITC1100規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)65V
頻率-過渡1.03GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益10dB ~ 10.5dB
功率-最大3400W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 5A, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱55SW
供應商設備包裝55SW

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NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

增益

16dB

功率-最大

205mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 20mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-343F

供應商設備包裝

SOT-343F

2SC4226-A

CEL

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SC-70-3

BFG 193 E6433

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

10.5dB ~ 16dB

功率-最大

600mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

PG-SOT223-4

HFA3046BZ

Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

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晶體管類型

5 NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

14-SOIC

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2dB @ 1GHz

增益

13.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

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