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IX6R11S6

IX6R11S6

僅供參考

型號 IX6R11S6
PNEDA編號 IX6R11S6
描述 IC BRIDGE DRIVER FOR N-CH MOSFET
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IX6R11S6資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IX6R11S6
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IX6R11S6, IX6R11S6數據表 (總頁數: 13, 大小: 515.36 KB)
PDFIX6R11S6T/R數據表 封面
IX6R11S6T/R數據表 頁面 2 IX6R11S6T/R數據表 頁面 3 IX6R11S6T/R數據表 頁面 4 IX6R11S6T/R數據表 頁面 5 IX6R11S6T/R數據表 頁面 6 IX6R11S6T/R數據表 頁面 7 IX6R11S6T/R數據表 頁面 8 IX6R11S6T/R數據表 頁面 9 IX6R11S6T/R數據表 頁面 10 IX6R11S6T/R數據表 頁面 11

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IX6R11S6規格

制造商IXYS
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 35V
邏輯電壓-VIL,VIH6V, 9.6V
電流-峰值輸出(源極,接收器)6A, 6A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)25ns, 17ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝18-SOIC

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門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.9V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

150ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3.5A, -

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

41V

上升/下降時間(典型值)

-

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0°C ~ 125°C (TJ)

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

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驅動程序數量

4

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

8ns, 8ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

14-SOIC

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2A, 1.8A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

15ns, 10ns

工作溫度

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安裝類型

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