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IX6S11S6T/R

IX6S11S6T/R

僅供參考

型號 IX6S11S6T/R
PNEDA編號 IX6S11S6T-R
描述 IC DRVR HALF BRIDGE 6A 18-SOIC
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IX6S11S6T/R資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IX6S11S6T/R
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器

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IX6S11S6T/R規格

制造商IXYS
系列-
驅動配置-
頻道類型-
驅動程序數量-
門類型-
電壓-供電-
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)-
輸入類型-
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝18-SOIC

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電壓-供電

4.2V ~ 5.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.2A, 2.7A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

10ns, 8ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WQFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.2V ~ 5.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2.7A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

24V

上升/下降時間(典型值)

10ns, 8ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

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驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

125ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Half-Bridge

頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.9A, 2.3A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

40ns, 20ns

工作溫度

150°C (TJ)

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.1V, 1.9V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

290mA, 430mA

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

75ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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