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IXBT32N300

IXBT32N300

僅供參考

型號 IXBT32N300
PNEDA編號 IXBT32N300
描述 IGBT 3000V 80A 400W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBT32N300資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBT32N300
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBT32N300, IXBT32N300數據表 (總頁數: 5, 大小: 174.06 KB)
PDFIXBT32N300數據表 封面
IXBT32N300數據表 頁面 2 IXBT32N300數據表 頁面 3 IXBT32N300數據表 頁面 4 IXBT32N300數據表 頁面 5

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IXBT32N300規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)3000V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)280A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 32A
功率-最大400W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用142nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)1.5µs
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 20A

功率-最大

168W

開關能量

77µJ (on), 170µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/139ns

測試條件

400V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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74A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

255W

開關能量

390µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/165ns

測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 30A

功率-最大

54W

開關能量

770µJ (on), 1.11mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

68nC

25°C時的Td(開/關)

44ns/186ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

58ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 2A

功率-最大

30W

開關能量

64µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

14nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/259ns

測試條件

400V, 2A, 118Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

130ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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