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IXDN630CI

IXDN630CI

僅供參考

型號 IXDN630CI
PNEDA編號 IXDN630CI
描述 IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220
制造商 IXYS Integrated Circuits Division
單價 請求報價
庫存 21,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDN630CI資源

品牌 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDN630CI
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXDN630CI, IXDN630CI數據表 (總頁數: 12, 大小: 289.55 KB)
PDFIXDN630MYI數據表 封面
IXDN630MYI數據表 頁面 2 IXDN630MYI數據表 頁面 3 IXDN630MYI數據表 頁面 4 IXDN630MYI數據表 頁面 5 IXDN630MYI數據表 頁面 6 IXDN630MYI數據表 頁面 7 IXDN630MYI數據表 頁面 8 IXDN630MYI數據表 頁面 9 IXDN630MYI數據表 頁面 10 IXDN630MYI數據表 頁面 11

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IXDN630CI規格

制造商IXYS Integrated Circuits Division
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電12.5V ~ 35V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 3.5V
電流-峰值輸出(源極,接收器)30A, 30A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)11ns, 11ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-5
供應商設備包裝TO-220-5

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門類型

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電壓-供電

5.5V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

300mA, 600mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

40ns, 25ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Linear Technology/Analog Devices

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.7V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

16ns, 16ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.9V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

150ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

2.3V, -

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

100V

上升/下降時間(典型值)

570ns, 430ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

IXYS

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 30V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

9ns, 8ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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