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IXDN75N120

IXDN75N120

僅供參考

型號 IXDN75N120
PNEDA編號 IXDN75N120
描述 IGBT 1200V 150A SOT-227B
制造商 IXYS
單價
1 ---------- $312.9092
50 ---------- $298.2416
100 ---------- $283.5739
200 ---------- $268.9063
400 ---------- $256.6833
500 ---------- $244.4603
庫存 3,993
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDN75N120資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDN75N120
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IXDN75N120, IXDN75N120數據表 (總頁數: 4, 大小: 73.3 KB)
PDFIXDN75N120數據表 封面
IXDN75N120數據表 頁面 2 IXDN75N120數據表 頁面 3 IXDN75N120數據表 頁面 4

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IXDN75N120規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)150A
功率-最大660W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)4mA
輸入電容(Cies)@ Vce5.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227B

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1200V

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40A

功率-最大

208W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.65nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

PT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

465A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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IXYS

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24.5A

功率-最大

82W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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Chassis Mount

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

780W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

83nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.75V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

20nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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