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IXFA110N15T2-TRL

IXFA110N15T2-TRL

僅供參考

型號 IXFA110N15T2-TRL
PNEDA編號 IXFA110N15T2-TRL
描述 MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,006
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFA110N15T2-TRL資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFA110N15T2-TRL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFA110N15T2-TRL規格

制造商IXYS
系列TrenchT2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)110A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs13mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs150nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)480W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (IXFA)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.1A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1035pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

66W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

556mW

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