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IXFA130N10T

IXFA130N10T

僅供參考

型號 IXFA130N10T
PNEDA編號 IXFA130N10T
描述 MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,256
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFA130N10T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFA130N10T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFA130N10T規格

制造商IXYS
系列TrenchMV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)130A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs104nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5080pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (IXFA)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15000pF @ 25V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 25V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 7V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 51A, 7V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

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FET功能

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