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IXFA24N60X

IXFA24N60X

僅供參考

型號 IXFA24N60X
PNEDA編號 IXFA24N60X
描述 MOSFET N-CH 600V 24A TO-263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,016
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFA24N60X資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFA24N60X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFA24N60X, IXFA24N60X數據表 (總頁數: 6, 大小: 155.03 KB)
PDFIXFH24N60X數據表 封面
IXFH24N60X數據表 頁面 2 IXFH24N60X數據表 頁面 3 IXFH24N60X數據表 頁面 4 IXFH24N60X數據表 頁面 5 IXFH24N60X數據表 頁面 6

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IXFA24N60X規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs175mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs47nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1910pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)400W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263AA
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

176nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11570pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

P-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

295mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.9W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta)

工作溫度

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-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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