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IXFA4N100Q

IXFA4N100Q

僅供參考

型號 IXFA4N100Q
PNEDA編號 IXFA4N100Q
描述 MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,728
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFA4N100Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFA4N100Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFA4N100Q, IXFA4N100Q數據表 (總頁數: 4, 大小: 143.5 KB)
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IXFA4N100Q-TRL數據表 頁面 2 IXFA4N100Q-TRL數據表 頁面 3 IXFA4N100Q-TRL數據表 頁面 4

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IXFA4N100Q規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1050pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)150W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (IXFA)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

97W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

176W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc) (90°C)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 8A

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

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