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IXFB50N80Q2

IXFB50N80Q2

僅供參考

型號 IXFB50N80Q2
PNEDA編號 IXFB50N80Q2
描述 MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFB50N80Q2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFB50N80Q2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFB50N80Q2, IXFB50N80Q2數據表 (總頁數: 4, 大小: 222.97 KB)
PDFIXFB50N80Q2數據表 封面
IXFB50N80Q2數據表 頁面 2 IXFB50N80Q2數據表 頁面 3 IXFB50N80Q2數據表 頁面 4

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IXFB50N80Q2規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs260nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1135W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS264™
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1390pF @ 25V

FET功能

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta), 32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

299mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 440µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 850mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Tc)

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