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IXFC74N20P

IXFC74N20P

僅供參考

型號 IXFC74N20P
PNEDA編號 IXFC74N20P
描述 MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFC74N20P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFC74N20P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFC74N20P, IXFC74N20P數據表 (總頁數: 5, 大小: 120.14 KB)
PDFIXFC74N20P數據表 封面
IXFC74N20P數據表 頁面 2 IXFC74N20P數據表 頁面 3 IXFC74N20P數據表 頁面 4 IXFC74N20P數據表 頁面 5

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IXFC74N20P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™ HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs107nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)120W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS220™
包裝/箱ISOPLUS220™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 118µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

165nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13000pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

188W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

64W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

94A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 56A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6040pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

580W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

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