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IXFC74N20P

IXFC74N20P

僅供參考

型號 IXFC74N20P
PNEDA編號 IXFC74N20P
描述 MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFC74N20P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFC74N20P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFC74N20P, IXFC74N20P數據表 (總頁數: 5, 大小: 120.14 KB)
PDFIXFC74N20P數據表 封面
IXFC74N20P數據表 頁面 2 IXFC74N20P數據表 頁面 3 IXFC74N20P數據表 頁面 4 IXFC74N20P數據表 頁面 5

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IXFC74N20P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™ HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs107nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)120W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS220™
包裝/箱ISOPLUS220™

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.6nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

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8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

30W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

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功耗(最大值)

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