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IXFD80N10Q-8XQ

IXFD80N10Q-8XQ

僅供參考

型號 IXFD80N10Q-8XQ
PNEDA編號 IXFD80N10Q-8XQ
描述 MOSFET N-CHANNEL 100V DIE
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFD80N10Q-8XQ資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFD80N10Q-8XQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFD80N10Q-8XQ規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型-
供應商設備包裝Die
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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 25V

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1199pF @ 400V

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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