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IXFE73N30Q

IXFE73N30Q

僅供參考

型號 IXFE73N30Q
PNEDA編號 IXFE73N30Q
描述 MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFE73N30Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFE73N30Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFE73N30Q, IXFE73N30Q數據表 (總頁數: 2, 大小: 586.95 KB)
PDFIXFE73N30Q數據表 封面
IXFE73N30Q數據表 頁面 2

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IXFE73N30Q規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)66A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs46mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs190nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)400W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 50V

FET功能

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功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.93nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27.6pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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