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IXFH12N100Q

IXFH12N100Q

僅供參考

型號 IXFH12N100Q
PNEDA編號 IXFH12N100Q
描述 MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 27 - 一月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH12N100Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH12N100Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH12N100Q, IXFH12N100Q數據表 (總頁數: 4, 大小: 145.11 KB)
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IXFH12N100Q規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.05Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs90nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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1.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

89pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta), 6.25W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 11A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

340mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3040pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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