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IXFH36N55Q2

IXFH36N55Q2

僅供參考

型號 IXFH36N55Q2
PNEDA編號 IXFH36N55Q2
描述 MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH36N55Q2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH36N55Q2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH36N55Q2, IXFH36N55Q2數據表 (總頁數: 5, 大小: 556.62 KB)
PDFIXFH36N55Q2數據表 封面
IXFH36N55Q2數據表 頁面 2 IXFH36N55Q2數據表 頁面 3 IXFH36N55Q2數據表 頁面 4 IXFH36N55Q2數據表 頁面 5

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IXFH36N55Q2規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)550V
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)560W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.2A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2516pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

920mW (Ta), 43W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 320µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

672mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7736pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

543W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1550pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

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FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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