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IXFH50N60P3

IXFH50N60P3

僅供參考

型號 IXFH50N60P3
PNEDA編號 IXFH50N60P3
描述 MOSFET N-CH 600V 50A TO247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH50N60P3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH50N60P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH50N60P3, IXFH50N60P3數據表 (總頁數: 5, 大小: 146.64 KB)
PDFIXFT50N60P3數據表 封面
IXFT50N60P3數據表 頁面 2 IXFT50N60P3數據表 頁面 3 IXFT50N60P3數據表 頁面 4 IXFT50N60P3數據表 頁面 5

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IXFH50N60P3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, Polar3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs145mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs94nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1040W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 46W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.5A (Ta), 124A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 30A, 11.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4490pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.43W (Ta), 107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 37W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1290pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 65W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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