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IXFH52N30P

IXFH52N30P

僅供參考

型號 IXFH52N30P
PNEDA編號 IXFH52N30P
描述 MOSFET N-CH 300V 52A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH52N30P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH52N30P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH52N30P, IXFH52N30P數據表 (總頁數: 5, 大小: 182.09 KB)
PDFIXFV52N30PS數據表 封面
IXFV52N30PS數據表 頁面 2 IXFV52N30PS數據表 頁面 3 IXFV52N30PS數據表 頁面 4 IXFV52N30PS數據表 頁面 5

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IXFH52N30P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™ HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)52A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs66mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3490pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)400W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2205pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

375A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

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UltraFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

275nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

325W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

600mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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