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IXFH74N20P

IXFH74N20P

僅供參考

型號 IXFH74N20P
PNEDA編號 IXFH74N20P
描述 MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 8 - 十一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH74N20P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH74N20P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH74N20P, IXFH74N20P數據表 (總頁數: 5, 大小: 185.58 KB)
PDFIXFV74N20PS數據表 封面
IXFV74N20PS數據表 頁面 2 IXFV74N20PS數據表 頁面 3 IXFV74N20PS數據表 頁面 4 IXFV74N20PS數據表 頁面 5

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IXFH74N20P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™ HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)74A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs34mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs107nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)480W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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系列

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1805pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.08W (Ta), 2.97W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

170pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

73A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3550pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 11.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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