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IXFH7N100P

IXFH7N100P

僅供參考

型號 IXFH7N100P
PNEDA編號 IXFH7N100P
描述 MOSFET N-CH
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH7N100P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH7N100P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFH7N100P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, Polar™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs47nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2590pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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Infineon Technologies

系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1683pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta), 12.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 87W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

435pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

15.6W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 8.5A, 5V

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

88W (Tc)

工作溫度

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