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IXFH88N20Q

IXFH88N20Q

僅供參考

型號 IXFH88N20Q
PNEDA編號 IXFH88N20Q
描述 MOSFET N-CH 200V 88A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH88N20Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH88N20Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH88N20Q, IXFH88N20Q數據表 (總頁數: 4, 大小: 188.96 KB)
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IXFH88N20Q規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)88A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs146nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4150pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)500W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

328pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

150°C (TJ)

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