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IXFH90N20X3

IXFH90N20X3

僅供參考

型號 IXFH90N20X3
PNEDA編號 IXFH90N20X3
描述 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH90N20X3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH90N20X3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFH90N20X3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12.8mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs78nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5420pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)390W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO247-3

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23Ohm @ 40mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.4pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

250mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

660mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 660mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 400µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

430pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

790mW (Ta), 23.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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