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IXFH94N30T

IXFH94N30T

僅供參考

型號 IXFH94N30T
PNEDA編號 IXFH94N30T
描述 MOSFET N-CH 300V 94A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 28 - 二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH94N30T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH94N30T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH94N30T, IXFH94N30T數據表 (總頁數: 6, 大小: 176.29 KB)
PDFIXFT94N30T數據表 封面
IXFT94N30T數據表 頁面 2 IXFT94N30T數據表 頁面 3 IXFT94N30T數據表 頁面 4 IXFT94N30T數據表 頁面 5 IXFT94N30T數據表 頁面 6

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IXFH94N30T規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, TrenchT2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)94A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs190nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)890W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 93A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2164pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1627pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

112W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1820pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

145W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

145nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

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-

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