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IXFI7N80P

IXFI7N80P

僅供參考

型號 IXFI7N80P
PNEDA編號 IXFI7N80P
描述 MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFI7N80P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFI7N80P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFI7N80P, IXFI7N80P數據表 (總頁數: 4, 大小: 140.62 KB)
PDFIXFI7N80P數據表 封面
IXFI7N80P數據表 頁面 2 IXFI7N80P數據表 頁面 3 IXFI7N80P數據表 頁面 4

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IXFI7N80P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1890pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)200W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262 (I2PAK)
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 54W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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12.2A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 32V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

445pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

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