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IXFK120N20

IXFK120N20

僅供參考

型號 IXFK120N20
PNEDA編號 IXFK120N20
描述 MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,220
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK120N20資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK120N20
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK120N20, IXFK120N20數據表 (總頁數: 4, 大小: 72.11 KB)
PDFIXFK120N20數據表 封面
IXFK120N20數據表 頁面 2 IXFK120N20數據表 頁面 3 IXFK120N20數據表 頁面 4

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IXFK120N20規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs300nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)560W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

86A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.7mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4460pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

350W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

281pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2830pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

220W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

340mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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-

功耗(最大值)

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