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IXFK120N25

IXFK120N25

僅供參考

型號 IXFK120N25
PNEDA編號 IXFK120N25
描述 MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,286
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK120N25資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK120N25
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK120N25, IXFK120N25數據表 (總頁數: 2, 大小: 98.47 KB)
PDFIXFK120N25數據表 封面
IXFK120N25數據表 頁面 2

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IXFK120N25規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs400nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)560W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

556pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

400mW (Ta), 8.33W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.34A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

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