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IXFK170N10P

IXFK170N10P

僅供參考

型號 IXFK170N10P
PNEDA編號 IXFK170N10P
描述 MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK170N10P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK170N10P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK170N10P, IXFK170N10P數據表 (總頁數: 5, 大小: 141.04 KB)
PDFIXFK170N10P數據表 封面
IXFK170N10P數據表 頁面 2 IXFK170N10P數據表 頁面 3 IXFK170N10P數據表 頁面 4 IXFK170N10P數據表 頁面 5

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IXFK170N10P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)170A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs198nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)715W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

860mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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