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IXFK180N15P

IXFK180N15P

僅供參考

型號 IXFK180N15P
PNEDA編號 IXFK180N15P
描述 MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK180N15P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK180N15P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK180N15P, IXFK180N15P數據表 (總頁數: 5, 大小: 178.46 KB)
PDFIXFK180N15P數據表 封面
IXFK180N15P數據表 頁面 2 IXFK180N15P數據表 頁面 3 IXFK180N15P數據表 頁面 4 IXFK180N15P數據表 頁面 5

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IXFK180N15P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs240nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)830W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

170pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

540mW (Ta)

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

291nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11168pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 10V

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