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IXFK200N10P

IXFK200N10P

僅供參考

型號 IXFK200N10P
PNEDA編號 IXFK200N10P
描述 MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK200N10P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK200N10P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK200N10P, IXFK200N10P數據表 (總頁數: 5, 大小: 194.96 KB)
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IXFX200N10P數據表 頁面 2 IXFX200N10P數據表 頁面 3 IXFX200N10P數據表 頁面 4 IXFX200N10P數據表 頁面 5

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IXFK200N10P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs235nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)830W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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7.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 51W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

88mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 300V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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