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IXFK26N100P

IXFK26N100P

僅供參考

型號 IXFK26N100P
PNEDA編號 IXFK26N100P
描述 MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK26N100P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK26N100P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK26N100P, IXFK26N100P數據表 (總頁數: 4, 大小: 116.71 KB)
PDFIXFK26N100P數據表 封面
IXFK26N100P數據表 頁面 2 IXFK26N100P數據表 頁面 3 IXFK26N100P數據表 頁面 4

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IXFK26N100P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)26A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs390mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs197nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)780W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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63A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.5W (Ta), 65.2W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A (Ta), 30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1740pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

360nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9000pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

520W (Tc)

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