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IXFK30N110P

IXFK30N110P

僅供參考

型號 IXFK30N110P
PNEDA編號 IXFK30N110P
描述 MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK30N110P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK30N110P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK30N110P, IXFK30N110P數據表 (總頁數: 4, 大小: 116.34 KB)
PDFIXFK30N110P數據表 封面
IXFK30N110P數據表 頁面 2 IXFK30N110P數據表 頁面 3 IXFK30N110P數據表 頁面 4

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IXFK30N110P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs360mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs235nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)960W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

278nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

405W (Tc)

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

750mV @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 2.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1347pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 480V

FET功能

-

功耗(最大值)

81W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

109mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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