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IXFK32N60

IXFK32N60

僅供參考

型號 IXFK32N60
PNEDA編號 IXFK32N60
描述 MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK32N60資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK32N60
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK32N60, IXFK32N60數據表 (總頁數: 4, 大小: 192.11 KB)
PDFIXFN32N60數據表 封面
IXFN32N60數據表 頁面 2 IXFN32N60數據表 頁面 3 IXFN32N60數據表 頁面 4

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IXFK32N60規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)32A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs325nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)500W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264AA (IXFK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 70W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

216pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta)

工作溫度

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

77nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2826pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

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