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IXFK50N85X

IXFK50N85X

僅供參考

型號 IXFK50N85X
PNEDA編號 IXFK50N85X
描述 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFK50N85X資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFK50N85X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFK50N85X, IXFK50N85X數據表 (總頁數: 6, 大小: 286.78 KB)
PDFIXFK50N85X數據表 封面
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IXFK50N85X規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)850V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs105mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs152nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4480pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)890W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta), 54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1670pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta), 62W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

128nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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2.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.1nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

1.25W (Ta), 2.1W (Tc)

工作溫度

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