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IXFN150N15

IXFN150N15

僅供參考

型號 IXFN150N15
PNEDA編號 IXFN150N15
描述 MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,078
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN150N15資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN150N15
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN150N15, IXFN150N15數據表 (總頁數: 2, 大小: 70.28 KB)
PDFIXFN150N15數據表 封面
IXFN150N15數據表 頁面 2

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IXFN150N15規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)150A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs360nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)600W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1252pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

47.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1477pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 100V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

156nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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