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IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

僅供參考

型號 IXFN32N100Q3
PNEDA編號 IXFN32N100Q3
描述 MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,928
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN32N100Q3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN32N100Q3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN32N100Q3, IXFN32N100Q3數據表 (總頁數: 5, 大小: 124.76 KB)
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IXFN32N100Q3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)28A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs320mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6.5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs195nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9940pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)780W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

153nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10180pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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PowerPAK® SO-8

制造商

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系列

TrenchMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.02A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

340mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

560mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-323-3

包裝/箱

SC-70, SOT-323

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

326nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11100pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

13.6W (Ta), 375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Ta), 58.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.95mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 12V

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