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IXFN420N10T

IXFN420N10T

僅供參考

型號 IXFN420N10T
PNEDA編號 IXFN420N10T
描述 MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,216
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN420N10T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN420N10T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN420N10T, IXFN420N10T數據表 (總頁數: 6, 大小: 170.38 KB)
PDFIXFN420N10T數據表 封面
IXFN420N10T數據表 頁面 2 IXFN420N10T數據表 頁面 3 IXFN420N10T數據表 頁面 4 IXFN420N10T數據表 頁面 5 IXFN420N10T數據表 頁面 6

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IXFN420N10T規格

制造商IXYS
系列GigaMOS™ HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)420A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs670nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds47000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1070W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2740pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1530pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 56A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 80µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

196nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9417pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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