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IXFN520N075T2

IXFN520N075T2

僅供參考

型號 IXFN520N075T2
PNEDA編號 IXFN520N075T2
描述 MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,396
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN520N075T2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN520N075T2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFN520N075T2規格

制造商IXYS
系列GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)480A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs545nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds41000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)940W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

47W (Tc)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4068pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

820mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 49µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4900pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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功耗(最大值)

3.6W (Ta), 110W (Tc)

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