IXFN60N80P
僅供參考
| 型號 | IXFN60N80P | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | IXFN60N80P | ||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B | ||||||||||||||||||
| 制造商 | IXYS | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 87 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 四月 14 - 四月 19 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
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IXFN60N80P資源
| 品牌 | IXYS |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | IXFN60N80P |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
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IXFN60N80P規格
| 制造商 | IXYS |
| 系列 | PolarHV™ |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 800V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 53A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 140mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 5V @ 8mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 250nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 18000pF @ 25V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 1040W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Chassis Mount |
| 供應商設備包裝 | SOT-227B |
| 包裝/箱 | SOT-227-4, miniBLOC |
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