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IXFN64N50PD2

IXFN64N50PD2

僅供參考

型號 IXFN64N50PD2
PNEDA編號 IXFN64N50PD2
描述 MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN64N50PD2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN64N50PD2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN64N50PD2, IXFN64N50PD2數據表 (總頁數: 2, 大小: 117.62 KB)
PDFIXFN64N50PD2數據表 封面
IXFN64N50PD2數據表 頁面 2

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IXFN64N50PD2規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)52A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs186nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)625W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 25V

FET功能

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6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1007pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.4Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.43nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.5pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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