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IXFN73N30

IXFN73N30

僅供參考

型號 IXFN73N30
PNEDA編號 IXFN73N30
描述 MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN73N30資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN73N30
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN73N30, IXFN73N30數據表 (總頁數: 4, 大小: 131.77 KB)
PDFIXFK73N30數據表 封面
IXFK73N30數據表 頁面 2 IXFK73N30數據表 頁面 3 IXFK73N30數據表 頁面 4

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IXFN73N30規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)73A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs360nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)500W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

580mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

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1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

540mOhm @ 600mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

34W (Tc)

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