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IXFN80N50Q3

IXFN80N50Q3

僅供參考

型號 IXFN80N50Q3
PNEDA編號 IXFN80N50Q3
描述 MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN80N50Q3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN80N50Q3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN80N50Q3, IXFN80N50Q3數據表 (總頁數: 5, 大小: 125.75 KB)
PDFIXFN80N50Q3數據表 封面
IXFN80N50Q3數據表 頁面 2 IXFN80N50Q3數據表 頁面 3 IXFN80N50Q3數據表 頁面 4 IXFN80N50Q3數據表 頁面 5

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IXFN80N50Q3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)63A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6.5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs200nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)780W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

475mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.69nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

830mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

41.7W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 3.8A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.82nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

215pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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