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IXFN82N60P

IXFN82N60P

僅供參考

型號 IXFN82N60P
PNEDA編號 IXFN82N60P
描述 MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 22 - 十二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN82N60P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN82N60P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN82N60P, IXFN82N60P數據表 (總頁數: 5, 大小: 130.96 KB)
PDFIXFN82N60P數據表 封面
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IXFN82N60P規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)72A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs75mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs240nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds23000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1040W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

181nC @ 10V

Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 26µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

621pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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制造商

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系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 91µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4750pF @ 37.5V

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-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 110µA

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190nC @ 10V

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