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IXFP56N30X3M

IXFP56N30X3M

僅供參考

型號 IXFP56N30X3M
PNEDA編號 IXFP56N30X3M
描述 FET N-CHANNEL
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFP56N30X3M資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFP56N30X3M
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFP56N30X3M規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)56A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs27mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs56nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3750pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)36W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220 Isolated Tab
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

590nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

833W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

104mOhm @ 10A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.6V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

785pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

165W

工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

560nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A (Ta), 75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1333pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

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