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IXFP5N100PM

IXFP5N100PM

僅供參考

型號 IXFP5N100PM
PNEDA編號 IXFP5N100PM
描述 MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,478
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFP5N100PM資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFP5N100PM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFP5N100PM, IXFP5N100PM數據表 (總頁數: 4, 大小: 116.74 KB)
PDFIXFP5N100PM數據表 封面
IXFP5N100PM數據表 頁面 2 IXFP5N100PM數據表 頁面 3 IXFP5N100PM數據表 頁面 4

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IXFP5N100PM規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33.4nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1830pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220 Isolated Tab
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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11A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.9mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2135pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1480pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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7.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

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