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IXFP7N80PM

IXFP7N80PM

僅供參考

型號 IXFP7N80PM
PNEDA編號 IXFP7N80PM
描述 MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFP7N80PM資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFP7N80PM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFP7N80PM, IXFP7N80PM數據表 (總頁數: 4, 大小: 80.85 KB)
PDFIXFP7N80PM數據表 封面
IXFP7N80PM數據表 頁面 2 IXFP7N80PM數據表 頁面 3 IXFP7N80PM數據表 頁面 4

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IXFP7N80PM規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1890pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 63W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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13nC @ 10V

Vgs(最大)

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