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IXFP8N50P3

IXFP8N50P3

僅供參考

型號 IXFP8N50P3
PNEDA編號 IXFP8N50P3
描述 MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFP8N50P3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFP8N50P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFP8N50P3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, Polar3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs800mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds705pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)180W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1Ohm @ 1.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 85W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4150pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

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制造商

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.05V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2275pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

950V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1620pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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